近年來，隨著資料分析需求激增，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為下一代最受期待的記憶體技術。工研院機械所成功運用「高功率微波模組」對MRAM的MTJ(磁穿隧接面)結構進行低溫退火製程，不僅避免了傳統高溫製程可能導致的材料氧化和界面損壞問題，更提升了元件性能、降低製造成本，是低碳科技的新里程碑。