｜金屬有機化學氣相沉積製程與設備技術

摘要：本文主要探討MOCVD反應腔中wafer加金屬緩衝層對於承載盤溫度分佈及翹曲情形，使用接觸熱阻的觀念設計金屬緩衝層，針對不同厚度金屬層進行模擬分析。

Abstract: This paper discusses wafer coating metal film for the effect of bearing plate temperature distribution and bowing in the MOCVD reactor. Contact resistance of the concept design metal buffer layer, and simulation analysis for different thickness of the metal layer.

關鍵詞：有機金屬化學氣相沉積、接觸熱阻、金屬層、熱傳、承載盤、熱應力、翹曲

Keywords：Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Thermal Contact Resistance, Metal Film, Heat Transfer, Susceptor, Thermal stress, Bowing

前言
LED良率是由波長均勻度所主導，其中影響最直接的是In成份分佈，而溫度對於In成分相當敏感之外，也會造成晶圓翹曲，因此溫度只要有些微的差異，整個波長均勻度都會改變。由於上述的原因在於溫度分佈不均所致，造成此原因為承載盤（材料為石墨）與晶圓（材料為藍寶石）本身的熱傳導係數（K, W/m.k）不同，石墨熱傳導係數為130 W/m.k，而藍寶石為10 W/m.k，所以在晶圓表面塗佈一層金屬緩衝層，其熱傳導係數與石墨接近，讓整個熱傳導往上與橫向效果一致，目的是讓晶圓邊緣與中間的溫度差異變小，除此之外，塗佈金屬緩衝層剛好當作LED電極，不用額外在用蒸鍍方法鍍上一層金屬層，可以省掉一道製程程序。