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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:卓嘉弘、張奕威、黃戴廷化學機械研磨製程機上量測技術

在IC製造的化學機械研磨製程(CMP, Chemical Mechanical Polishing Process)中，為了精準評估研磨拋光墊對材料的移除率來計算研磨製程的耗時，必須監控拋光墊的表面粗糙度，並預測拋光墊的再使用壽命以適時安排拋光墊修整或是完全更換。本文提出一種非接觸式機上(in-situ)拋光墊光學量測技術，搭配空氣噴嘴裝置可以瞬時移除表面水膜而獲得較為準確的結果，此外本文還介紹機上晶圓厚度的量測方式與控制流程，藉以判斷是否達到研磨製程終點。