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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

作者:翁志強、丁嘉仁、張高德次世代半導體晶圓複合加工技術

碳化矽（SiC）由於其優越的物理和電氣特性，被認為是用於高功率和高溫應用的下一代半導體功率器件材料。相較於矽晶圓相對容易使用機械或化學的方法加工，碳化矽晶圓的加工製程相對困難、更昂貴且需要更長的加工時間。主要因為碳化矽為一種非常堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料。本研究主要開發超音波輔助輪磨技術以及電漿輔助拋光兩種複合加工技術，作為提升碳化矽晶圓加工速率的手段。

作者:劉俊葳、張高德、翁志強、陳稺榤、李佑昇、伍必霈高精度光學透鏡電漿拋光技術

作者:翁志強、徐瑞美抗污性及自潔式鍍膜技術

作者:翁志強、徐瑞美大氣壓電漿於金屬表面還原之應用

作者:蘇濬賢、楊國煇、蔡陳德、張瀛方、翁志強大氣電漿大面積薄膜沉積技術

作者:王凱駿、翁志強、陳威遠、林聖玉美國、日本印刷電子展覽產品技術發展趨勢分析

作者:丁嘉仁、翁志強、劉俊葳碳化矽晶圓複合加工技術

作者:翁志強、徐瑞美、蔡陳德、林智仁低溫線型大氣壓電漿於硬/軟基材表面功能性改質技術

作者:翁志強、劉展羽、李祐昇、丁嘉仁、張高德大氣電漿輔助鑽石拋光技術

單晶鑽石被認為是下一代功率元件的理想材料。在本文中，將使用以空氣為主要氣體和過氧化氫為反應前趨物的常壓等離子體系統生成羥基改質藍寶石拋光墊，再透過拋光機下承載盤的旋轉運動，使羥基改質後的藍寶石拋光墊與單晶鑽石表面發生反應，而達到單晶鑽石拋光的效果。為了證明所提出方法的有效性，在室溫下的大氣條件下，使用藍寶石拋光墊在無和有大氣電漿處理的情況下對鑽石進行拋光測試。透過表面形貌量測儀和白光干涉顯微鏡測量和評估材料去除率和表面粗糙度。驗證使用大氣電漿的材料去除率達0.9 μm/hr比沒有大氣電漿照射的材料去除率(0.085 - 0.12 μm/hr)高大約九倍。拋光後表面粗糙度從70 nm降低到5 nm。