機械工業網

:::

歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:林哲蔚、林冠宇、劉志宏、周大鑫常壓電漿疏水抗污技術

作者:翁志強、徐瑞美、蔡陳德、林智仁低溫線型大氣壓電漿於硬/軟基材表面功能性改質技術

作者:王亘黼、黃智勇電漿薄膜沉積預測與應力分析模組技術

近年來由於人力資源運用以及製造業升級議題，如何導入智慧製造概念，並提高生產品質和效率，已成為製造業關注重點。本文將介紹工研院機械所之電漿薄膜沉積建模分析技術，以機械所開發之電漿鍍膜設備作為測試驗證平台，採用電漿診斷手法，監測製程中射頻電漿源輸入功率、反射功率、以及電漿光譜強度等參數，對應薄膜厚度、成分之關係，建立薄膜沉積預測模型；另透過多重物理耦合技術，生成薄膜表面溫度與壓力分布值，將數值作為應力模型邊界條件，再以實驗資料驗證模擬分析生成曲面擬合法經驗公式，預測薄膜應力及翹曲量，其準確度可達≥ 90 %，滿足電漿薄膜智慧製造之產業應用目標。

作者:翁志強、劉展羽、李祐昇、丁嘉仁、張高德大氣電漿輔助鑽石拋光技術

單晶鑽石被認為是下一代功率元件的理想材料。在本文中，將使用以空氣為主要氣體和過氧化氫為反應前趨物的常壓等離子體系統生成羥基改質藍寶石拋光墊，再透過拋光機下承載盤的旋轉運動，使羥基改質後的藍寶石拋光墊與單晶鑽石表面發生反應，而達到單晶鑽石拋光的效果。為了證明所提出方法的有效性，在室溫下的大氣條件下，使用藍寶石拋光墊在無和有大氣電漿處理的情況下對鑽石進行拋光測試。透過表面形貌量測儀和白光干涉顯微鏡測量和評估材料去除率和表面粗糙度。驗證使用大氣電漿的材料去除率達0.9 μm/hr比沒有大氣電漿照射的材料去除率(0.085 - 0.12 μm/hr)高大約九倍。拋光後表面粗糙度從70 nm降低到5 nm。

作者:林冠宇、莊聰暉、陳冠州、陳家銘、劉志宏IC 載板電漿設備之電極模組設計與軟體開發

因臺灣電路板產業客戶製程規格要求越來高，然而現有IC載板電漿處理設備，因整體電漿均勻度不佳(70~75％)，導致單片良率僅50~70％，片與片之間差異大及製程均勻度不佳(僅50~60％)，除造成整體材料成本提高外，唯有在製程均勻性的重新改善，才能實質提高循環經濟的價值。本文為IC載板電漿設備之電極模組設計與軟體開發，在電極模組設計上，透過特殊的流道設計及針對冷卻水路與氣流場進行分析模擬；在電控規劃設計上，主要包括系統主電源、訊號輸入與輸出、氣體流量、低頻電源、溫度傳感器、電磁閥等電控元件；在軟體開發上，其設備操作模式主要包含手動/自動模式、製程設定、各系統設定、資料查詢、異常紀錄、使用者管理功能等畫面。同時搭配技鼎的製程優化技術，進行高製程均勻性(>85%)的驗證，將有利推動IC載板電漿設備國產化，進而取代現有設備均勻度不佳及維修冗長困難等問題。