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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:林冠廷、黃萌祺、高端環小型化被動元件電鍍設備數位模擬與實際驗證

未來產品將朝向小型化、薄型化等趨勢發展，被動元件之尺寸也朝向01005之超小型元件發展，由於傳統被動元件體積較大，配合適當導電體，可採用滾鍍方式進行金屬沉積，但隨著被動元件變小，傳統滾鍍製程無法將小型化被動元件有效分離，而使被動元件互相堆疊，導致電鍍金屬無法均勻沉積在端電極上，故本研究將開發高分散性超小型元件電鍍技術，藉由數位模擬進行電鍍流場設計，採用 Comsol Multiphysics 作為分析流場變化的模擬軟體，所建立的物理場則是選用紊流模式中的k-ε模型，採用對稱型流道設計可有效降低流場內部的渦流生成機率，獲得較好的裝置流線分佈均勻狀態並以對稱型且流道寬度16 mm的形式為主要設計。本研究之高分散性超小型元件電鍍設備可進行5000顆被動元件之測試，其電鍍不良率可降為10%以下，且電鍍金屬厚度均勻度達2.91±0.8 µm，滿足產業界對於被動元件電鍍之需求。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔(TGV)的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電(DC)的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止(無流場)的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:鍾允昇矽晶太陽電池TURNKEY方案與技術趨勢探討

作者:黃萌祺、高端環、林冠廷、張心豪高頻陶瓷元件雷射金屬化技術

作者:薛長榮、張心豪、黃萌祺指向性無電鍍銅製程與R2R無電鍍設備