高深寬比濕式晶種層與銅填孔技術 2022/07/20

簡介 Introductions

結合電鍍銅藥液開發、流場分析技術、電化學分析技術、與高深寬比銅電鍍治具設計等，能於深寬比 15 之玻璃基板上完成濕式晶種層與銅填孔製程，面銅厚度 <5μm、晶種層附著力 >0.5 kN/m ，填銅之孔隙 <1 μm。

The technologies combine plating formula, flow field analysis, electrochemical analysis and plating fixture and plating tool design. Currently, the technologies leads the world which is suitable for mass production which is similar to normal PCB wet metallization process.

• Adhesion：＞ 0.5 kN/m (between glass substrate & 15 μm Cu film).
• Cu overburden：＜ 5 μm (AR~12, Diameter：25 μm).
• Defects (voids)：＜ 1 μm.
• The max AR：15 μm .

特色與創新 Characters and Innovations

• 開發複合金屬氧化物表面處理技術，增加金屬薄膜與玻璃基材附著力，附著力達 0.5 kN /m，且低表面粗糙度 <50nm。
• 開發雙功能型單劑填孔電鍍配方，取代傳統三劑配方( 平整劑 / 加速劑 / 抑制劑 ) ，電鍍填銅深寬比可達 AR 15。
• The adhesion layer is embedded in  glass metallization process.
• The roughness of the adhesion layer：＜ 50 nm.
• Adhesion：＞ 0.5 kN/m (between glass substrate & 15 μm Cu film).
• The high aspect ratio TGVs filling technology is used 2 types of plating additives system to replace 3 types of plating additives system. The TGVs filling technology can  be achieved on AR~15 substrate.

應用與效益 Applications and Benefits

• 3D IC 封裝、玻璃中介層、IC 載板。
• 3D packaging, glass interposer, IC substrate.

聯絡 contact

• 黃萌祺 Meng-Chi Huang
• E-mail: ach@itri.org.tw
• TEL:886-3-5915841
• FAX:886-3-5820043

更多資訊

• 更多技術介紹：https://www.automan.tw/aboutus/annual-report.aspx
• YouTube技術影片：https://www.youtube.com/channel/UCU3037vDY8r0m_rJ_U7lHvQ

低面銅，減少研磨時間