作者:卓嘉弘、顧逸霞、羅竣威、張柏毅、李正綱、李漢文、羅聖全半導體先進封裝製程量測技術
在人工智慧等應用需求的推動下，半導體元件正趨於微小化。摩爾定律預測積體電路上的電晶體數量每18到24個月就會增加一倍。然而，隨著接近物理極限，微小化速度已經減緩，為了克服摩爾定律的限制，半導體廠商提出了深度摩爾和超越摩爾技術，其中深度摩爾專注於進一步縮小電晶體尺寸，而超越摩爾則強調電路設計和系統優化。因此針對先進封裝技術，本文介紹了四種非破壞性光學量測技術：微凸塊量測、重分布層量測、晶圓鍵合量測以及薄化晶圓和薄膜厚度量測，並探討了它們在先進封裝製程中的應用和未來展望。